ROHM Semiconductor QS8K51TR
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QS8K51TR
2078-QS8K51TR
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SMD, Flat Lead
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MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT8
--最小包装量--
QS8K51TR详情
ROHM Semiconductor QS8K51TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SMD, Flat Lead
引脚数
8
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
30 ns
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2016
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
1.5W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
*K51
通道数量
2
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
10ns
漏源电压 (Vdss)
30V
下降时间(典型值)
15 ns
连续放电电流(ID)
2A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2A
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
6A
DS 击穿电压-最小值
100V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
240mOhm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
QS8K51TR拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semicon
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
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