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首页 全部分类 R5013ANJTL vs FDG6332C

R5013ANJTL备选型号: FDG6332C

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  • 终止次数
  • 端子表面处理
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  • 终端形式
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  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 辐射硬化
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  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 电阻
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  • 额定电流
  • 电压
  • 元素配置
  • 电流
  • 功率耗散
  • 极性/通道类型
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ROHM Semiconductor
    R5013ANJTL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    13A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e2
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    Tin/Copper (Sn/Cu)
    SINGLE
    鸥翼
    260
    10
    3
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    380m Ω @ 6.5A, 10V
    4.5V @ 1mA
    1300pF @ 25V
    35nC @ 10V
    32ns
    500V
    ±30V
    30 ns
    13A
    30V
    52A
    500V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDG6332C
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDG6332C - Dual MOSFET, N and P Channel, 700 mA, 20 V, 0.18 ohm, 4.5 V, 1.1 V
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    SILICON
    700mA 600mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    N and P-Channel
    SWITCHING
    300m Ω @ 700mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    113pF @ 10V
    1.5nC @ 4.5V
    14ns
    -
    -
    14 ns
    700mA
    12V
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    Tin
    PowerTrench®
    EAR99
    300MOhm
    300mW
    700mA
    20V
    Dual
    7A
    300mW
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    1.1V
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
    1.1mm
    2mm
    1.25mm
    无SVHC
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