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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.834605
10
¥3.617554
100
¥3.412784
500
¥3.219608
1000
¥3.037365
Diodes Incorporated DMP2012SN-7
- 收藏
- 对比
DMP2012SN-7
671-DMP2012SN-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC
大陆
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MOSFET 20V 700mA
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMP2012SN-7详情
Diodes Incorporated DMP2012SN-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
包装/外壳
SC
引脚数
3
质量
7.994566mg
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
55 ns
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
500mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
3
资历状况
不合格
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
500mW
接通延迟时间
5 ns
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
20ns
漏源电压 (Vdss)
-20V
极性/通道类型
P-CHANNEL
下降时间(典型值)
20 ns
连续放电电流(ID)
-700mA
阈值电压
-1.2V
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.7A
双电源电压
-20V
输入电容
180pF
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
300mOhm
最大rds
300 mΩ
栅源电压
-1.2 V
高度
1.3mm
长度
3.1mm
宽度
1.7mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMP2012SN-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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