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首页 全部分类 R5207ANDTL vs SPD06N60C3ATMA1

R5207ANDTL备选型号: SPD06N60C3ATMA1

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  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 系列
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • ROHM Semiconductor
    R5207ANDTL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    7A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e2
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    Tin/Copper (Sn98Cu2)
    鸥翼
    260
    10
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1 Ω @ 3.5A, 10V
    4.5V @ 1mA
    500pF @ 25V
    13nC @ 10V
    22ns
    525V
    ±30V
    25 ns
    7A
    30V
    7A
    1Ohm
    28A
    525V
    2.3mm
    6.5mm
    5.5mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPD06N60C3ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 650V 6.2A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    6.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    -
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    7 ns
    N-Channel
    -
    750mOhm @ 3.9A, 10V
    3.9V @ 260μA
    620pF @ 25V
    31nC @ 10V
    12ns
    600V
    ±20V
    10 ns
    6.2A
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    PG-TO252-3-1
    CoolMOS™
    150°C
    -55°C
    650V
    6.2A
    74W
    600V
    620pF
    680mOhm
    750 mΩ
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