ROHM Semiconductor R5207ANDTL

工厂交货时间

20 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

40W Tc

Turn Off Delay Time

50 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin/Copper (Sn98Cu2)

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1 Ω @ 3.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 10V

上升时间

22ns

漏源电压 (Vdss)

525V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

25 ns

连续放电电流(ID)

7A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7A

漏极-源极导通最大电阻

1Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

28A

DS 击穿电压-最小值

525V

高度

2.3mm

长度

6.5mm

宽度

5.5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅