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首页 全部分类 R6002ENDTL vs IPD50R3K0CEAUMA1

R6002ENDTL备选型号: IPD50R3K0CEAUMA1

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • DS 击穿电压-最小值
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  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 系列
  • JESD-609代码
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    R6002ENDTL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    1.7A Tc
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2016
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    2
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    3.4 Ω @ 500mA, 10V
    4V @ 1mA
    65pF @ 25V
    6.5nC @ 10V
    600V
    ±20V
    1.7A
    4V
    4A
    600V
    6 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD50R3K0CEAUMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    SILICON
    26W Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    3 Ω @ 400mA, 13V
    3.5V @ 30μA
    84pF @ 100V
    4.3nC @ 10V
    -
    ±20V
    1.7A
    -
    4.1A
    -
    18 mJ
    -
    ROHS3 Compliant
    18 Weeks
    CoolMOS™ CE
    e3
    yes
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    无卤素
    500V
    3Ohm
    含铅
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