您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 R6006ANDTL vs IPD60R950C6ATMA1

R6006ANDTL备选型号: IPD60R950C6ATMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 输入电容
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 安装类型
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    R6006ANDTL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 6A CPT
    17 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3
    3
    1
    Tape & Reel (TR)
    2013
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    150°C
    -55°C
    40W
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    22 ns
    SWITCHING
    36ns
    600V
    N-CHANNEL
    35 ns
    6A
    30V
    6A
    600V
    24A
    460pF
    2.4 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    900mOhm
    1.2 Ω
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD60R950C6ATMA1
    Infineon Technologies
    INFINEON IPD60R950C6 Power MOSFET, N Channel, 4.4 A, 600 V, 0.86 ohm, 10 V, 3 V
    12 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    4.4A Tc
    Tape & Reel (TR)
    2008
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    -
    -
    -
    -
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    -
    1
    增强型MOSFET
    10 ns
    SWITCHING
    8ns
    -
    -
    13 ns
    4.4A
    30V
    -
    600V
    -
    -
    46 mJ
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    3.949996g
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    CoolMOS™ C6
    e3
    Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    Single
    37W
    DRAIN
    N-Channel
    950m Ω @ 1.5A, 10V
    3.5V @ 130μA
    280pF @ 100V
    13nC @ 10V
    ±20V
    600V
    0.95Ohm
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 INFINEON IPD60R950C6 Power MOSFET, N Channel, 4.4 A, 600 V, 0.86 ohm, 10 V, 3 V 对比
NDD60N900U1T4G NDD60N900U1T4G ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 600V 5.9A DPAK-3 对比