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R6006ANDTL备选型号: NDD60N900U1T4G
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- 生命周期状态
- 安装类型
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- 无铅代码
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- 场效应管类型
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- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 无铅
MOSFET N-CH 600V 6A CPT17 Weeks表面贴装TO-252-331Tape & Reel (TR)2013不用于新设计1 (Unlimited)2150°C-55°C40WSINGLE鸥翼R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFET22 nsSWITCHING36ns600VN-CHANNEL35 ns6A30V6A600V24A460pF2.4 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR900mOhm1.2 Ω无ROHS3 Compliant----------------
MOSFET N-CH 600V 5.9A DPAK-34 Weeks表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63-5.7A TcTape & Reel (TR)2010Obsolete3 (168 Hours)-------Single-----600V--5.7A-5.9A--------符合RoHS标准LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)表面贴装-55°C~150°C TJe3yesEAR99Tin (Sn)未说明未说明N-Channel900m Ω @ 2.5A, 10V4V @ 250μA360pF @ 50V12nC @ 10V±25V无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPD60R950C6ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | INFINEON IPD60R950C6 Power MOSFET, N Channel, 4.4 A, 600 V, 0.86 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
| NDD60N900U1T4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 600V 5.9A DPAK-3 | 对比 |
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