R6006ANDTL备选型号: STD7ANM60N

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 输入电容
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 安装类型
  • 操作温度
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs(最大值)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 6A CPT
    17 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3
    3
    1
    Tape & Reel (TR)
    2013
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    150°C
    -55°C
    40W
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    22 ns
    SWITCHING
    36ns
    600V
    N-CHANNEL
    35 ns
    6A
    30V
    6A
    600V
    24A
    460pF
    2.4 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    900mOhm
    1.2 Ω
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 600V 5A Automotive 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
    16 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    5A Tc
    Tape & Reel (TR)
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    7 ns
    -
    10ns
    -
    -
    12 ns
    5A
    25V
    -
    600V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    150°C TJ
    Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
    EAR99
    STD7
    Single
    N-Channel
    900m Ω @ 2.5A, 10V
    4V @ 250μA
    363pF @ 50V
    14nC @ 10V
    ±25V
    4.6mm
    10.4mm
    9.35mm
    无铅
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