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首页 全部分类 R6012ANX vs STP14NK50ZFP

R6012ANX备选型号: STP14NK50ZFP

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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 系列
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 基本部件号
  • 阈值电压
  • 达到SVHC
  • ROHM Semiconductor
    R6012ANX
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    12A Ta
    150°C TJ
    Bulk
    2012
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    260
    10
    3
    Single
    增强型MOSFET
    50W
    ISOLATED
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    420m Ω @ 6A, 10V
    4.5V @ 1mA
    1300pF @ 25V
    35nC @ 10V
    30ns
    ±30V
    35 ns
    12A
    TO-220AB
    30V
    2A
    600V
    8A
    0.265 mJ
    15.4mm
    10.3mm
    4.8mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP14NK50ZFP
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 500V 14A TO-220FP
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    14A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    3
    Single
    增强型MOSFET
    35W
    ISOLATED
    24 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    380m Ω @ 6A, 10V
    4.5V @ 100μA
    2000pF @ 25V
    92nC @ 10V
    16ns
    ±30V
    12 ns
    6A
    TO-220AB
    30V
    -
    500V
    48A
    400 mJ
    9.3mm
    10.4mm
    4.6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 6 months ago)
    4.535924g
    SuperMESH™
    e3
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    雪崩 额定
    STP14N
    3.75V
    无SVHC
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