STMicroelectronics STP14NK50ZFP
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STP14NK50ZFP
2381-STP14NK50ZFP
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
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MOSFET N-CH 500V 14A TO-220FP
--最小包装量--
STP14NK50ZFP详情
STMicroelectronics STP14NK50ZFP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 months ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
质量
4.535924g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
14A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
35W Tc
Turn Off Delay Time
54 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SuperMESH™
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
附加功能
雪崩 额定
基本部件号
STP14N
引脚数量
3
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
35W
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
24 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
380m Ω @ 6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2000pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
92nC @ 10V
上升时间
16ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
6A
阈值电压
3.75V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
500V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
48A
雪崩能量等级(Eas)
400 mJ
高度
9.3mm
长度
10.4mm
宽度
4.6mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STP14NK50ZFP拓展信息
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