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R6015ANJTL备选型号: FDY302NZ
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 质量
- 系列
- ECCN 代码
- 元素配置
- 功率耗散
- Vgs（最大值）
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON15A Tc150°C TJTape & Reel (TR)2012e2yes不用于新设计1 (Unlimited)2Tin/Copper (Sn/Cu)SINGLE鸥翼260103R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFET50 nsN-ChannelSWITCHING300m Ω @ 7.5A, 10V4.5V @ 1mA1700pF @ 25V50nC @ 10V50ns600V60 ns15A30V60A600V无ROHS3 Compliant无铅--------------
MOSFET 20V Sgl N-Ch 2.5V Spec PwrTrench表面贴装表面贴装SC-89, SOT-4903SILICON600mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2017e3yes活跃1 (Unlimited)3-DUALFLAT------增强型MOSFET6 nsN-ChannelSWITCHING300m Ω @ 600mA, 4.5V1.5V @ 250μA60pF @ 10V1.1nC @ 4.5V8ns-2.4 ns600mA12V--无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)8 WeeksTin30mgPowerTrench®EAR99Single625mW±12V0.6A20V780μm1.7mm980μm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN100-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DIODES INC. - DMN100-7-F - MOSFET Transistor, N Channel, 1.1 A, 30 V, 0.24 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
 | BSS127SSN-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 600V 50MA SC59 | 对比 |
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