ROHM Semiconductor R6015ANJTL

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15A Tc

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

100W Tc

Turn Off Delay Time

150 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin/Copper (Sn/Cu)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

50 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

300m Ω @ 7.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1700pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

50nC @ 10V

上升时间

50ns

漏源电压 (Vdss)

600V

下降时间（典型值）

60 ns

连续放电电流(ID)

15A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60A

DS 击穿电压-最小值

600V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅