R6015ANZC8备选型号: IPW60R230P6FKSA1
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 供应商器件包装
- 系列
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 输入电容
- 最大rds
- MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF通孔通孔TO-3P-3 Full Pack3SILICON15A Tc150°C TJTube2011最后一次购买1 (Unlimited)3SINGLE未说明not_compliant未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETISOLATEDN-ChannelSWITCHING300m Ω @ 7.5A, 10V4.15V @ 1mA1700pF @ 25V50nC @ 10V600V±30V15A60A600V15 mJROHS3 Compliant无铅-------------
- MOSFET N-CH 600V TO247-3通孔通孔TO-247-33-16.8A Tc-55°C~150°C TJTube2008Obsolete1 (Unlimited)--------N-Channel-230mOhm @ 6.4A, 10V4.5V @ 530μA1450pF @ 100V31nC @ 10V600V±20V16.8A---符合RoHS标准无铅12 WeeksPG-TO247-3CoolMOS™ P6150°C-55°C126W12 ns7ns6 ns20V600V1.45nF230 mΩ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STF22NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | STMICROELECTRONICS STF22NM60N Power MOSFET, N Channel, 16 A, 600 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
![]() | IPP60R230P6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | 对比 |
![]() | IPW60R230P6FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V TO247-3 | 对比 |





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