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首页 全部分类 R6015FNJTL vs FDG6332C

R6015FNJTL备选型号: FDG6332C

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  • ECCN 代码
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    R6015FNJTL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 15A LPT
    10 Weeks
    表面贴装
    SC
    83
    SILICON
    1
    Cut Tape (CT)
    2008
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    2
    50W
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    600V
    N-CHANNEL
    15A
    0.35Ohm
    60A
    1.66nF
    15 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    350 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDG6332C
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDG6332C - Dual MOSFET, N and P Channel, 700 mA, 20 V, 0.18 ohm, 4.5 V, 1.1 V
    10 Weeks
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    SILICON
    700mA 600mA
    Tape & Reel (TR)
    2017
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    300mW
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    SWITCHING
    -
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    700mA
    -
    -
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    表面贴装
    -55°C~150°C TJ
    PowerTrench®
    e3
    yes
    EAR99
    300MOhm
    700mA
    20V
    Dual
    7A
    300mW
    N and P-Channel
    300m Ω @ 700mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    113pF @ 10V
    1.5nC @ 4.5V
    14ns
    14 ns
    1.1V
    12V
    20V
    150°C
    逻辑电平门
    1.1mm
    2mm
    1.25mm
    无SVHC
    无
    无铅
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