ROHM Semiconductor R6015FNJTL
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R6015FNJTL
2078-R6015FNJTL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC
大陆
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MOSFET N-CH 600V 15A LPT
--最小包装量--
R6015FNJTL详情
ROHM Semiconductor R6015FNJTL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
包装/外壳
SC
引脚数
83
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2008
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
最大功率耗散
50W
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
漏源电压 (Vdss)
600V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
15A
漏极-源极导通最大电阻
0.35Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60A
输入电容
1.66nF
雪崩能量等级(Eas)
15 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大rds
350 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
R6015FNJTL拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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