R6020ANJTL备选型号: BSS127SSN-7

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 底架
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 包装
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 质量
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
    20 Weeks
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    230 ns
    2009
    Tape & Reel (TR)
    150°C TJ
    e2
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    Tin/Copper (Sn/Cu)
    SINGLE
    鸥翼
    260
    10
    3
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    40 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    250m Ω @ 10A, 10V
    4.5V @ 1mA
    2040pF @ 25V
    65nC @ 10V
    60ns
    ±30V
    70 ns
    20A
    30V
    0.25Ohm
    600V
    80A
    26.7 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
    18 Weeks
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    50mA Ta
    2013
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    3
    -
    -
    1
    增强型MOSFET
    5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    160 Ω @ 16mA, 10V
    4.5V @ 250μA
    21.8pF @ 25V
    1.08nC @ 10V
    7.2ns
    ±20V
    168 ns
    50mA
    20V
    -
    600V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    无铅
    Tin
    7.994566mg
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    Single
    1.25W
    0.045A
    1.3mm
    3.1mm
    1.7mm
    无SVHC
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