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首页 全部分类 R6020ANJTL vs FDG1024NZ

R6020ANJTL备选型号: FDG1024NZ

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  • 引脚数量
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 质量
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  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 功率 - 最大
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ROHM Semiconductor
    R6020ANJTL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
    20 Weeks
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    230 ns
    2009
    Tape & Reel (TR)
    150°C TJ
    e2
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    Tin/Copper (Sn/Cu)
    SINGLE
    鸥翼
    260
    10
    3
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    40 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    250m Ω @ 10A, 10V
    4.5V @ 1mA
    2040pF @ 25V
    65nC @ 10V
    60ns
    ±30V
    70 ns
    20A
    30V
    0.25Ohm
    600V
    80A
    26.7 mJ
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDG1024NZ
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 6-Pin SC-70 T/R
    10 Weeks
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    表面贴装
    表面贴装
    6
    SILICON
    2
    2007
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    -
    鸥翼
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    3.7 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    175m Ω @ 1.2A, 4.5V
    1V @ 250μA
    150pF @ 10V
    2.6nC @ 4.5V
    1.7ns
    -
    1.5 ns
    1.2A
    8V
    0.175Ohm
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    28mg
    PowerTrench®
    EAR99
    360mW
    不合格
    Dual
    360mW
    300mW
    20V
    800mV
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    800 mV
    1mm
    2mm
    1.25mm
    无SVHC
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