您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 R6020ANZC8 vs SPA20N60C3XKSA1

R6020ANZC8备选型号: SPA20N60C3XKSA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 辐射硬化
  • ROHM Semiconductor
    R6020ANZC8
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
    通孔
    通孔
    TO-3P-3 Full Pack
    SILICON
    20A Ta
    150°C TJ
    Tube
    2011
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    220m Ω @ 10A, 10V
    4.15V @ 1mA
    2040pF @ 25V
    65nC @ 10V
    600V
    ±30V
    20A
    0.22Ohm
    80A
    600V
    26.7 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPA20N60C3XKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3 Tab) TO-220FP
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    SILICON
    20.7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2005
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    -
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 13.1A, 10V
    3.9V @ 1mA
    2400pF @ 25V
    114nC @ 10V
    -
    ±20V
    20.7A
    -
    -
    -
    690 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    16 Weeks
    3
    CoolMOS™
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    650V
    20.7A
    3
    34.5W
    10 ns
    无卤素
    5ns
    4.5 ns
    TO-220AB
    20V
    600V
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IPP60R165CPXKSA1 IPP60R165CPXKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 21A TO-220 对比
IPP60R160P6XKSA1 IPP60R160P6XKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N-CH 600V TO220-3 对比