您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 RF4C050APTR vs DMN2028USS-13

RF4C050APTR备选型号: DMN2028USS-13

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ROHM Semiconductor
    RF4C050APTR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 10A 8HUML
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerUDFN
    8
    SILICON
    10A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    18mOhm
    DUAL
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    S-PDSO-N6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    26m Ω @ 5A, 4.5V
    1V @ 1mA
    5500pF @ 10V
    55nC @ 4.5V
    20V
    -8V
    10A
    -1V
    20A
    20V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2028USS-13
    Diodes Incorporated
    20V N-Channel Enhancement MOSFET SOIC8
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    7.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2017
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    -
    40
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 9.4A, 4.5V
    1.3V @ 250μA
    1000pF @ 10V
    11.6nC @ 4.5V
    -
    ±8V
    9.8A
    1V
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    73.992255mg
    e3
    yes
    Matte Tin (Sn)
    ESD PROTECTION, HIGH RELIABILITY
    8
    1
    Single
    1.56W
    11.67 ns
    12.49ns
    12.33 ns
    12V
    5.6A
    0.02Ohm
    20V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
MCH6437-TL-W MCH6437-TL-W ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 6-SMD, Flat Leads MOSFET N-CH 20V 7A MCPH6 对比
DMN2022UFDF-7 DMN2022UFDF-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 6-UDFN Exposed Pad MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN 对比