ROHM Semiconductor RF4C050APTR

工厂交货时间

20 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerUDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W Ta

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

18mOhm

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

S-PDSO-N6

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

26m Ω @ 5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5500pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

55nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

-8V

连续放电电流(ID)

10A

阈值电压

-1V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

DS 击穿电压-最小值

20V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅