Diodes Incorporated DMN2022UFDF-7
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DMN2022UFDF-7
671-DMN2022UFDF-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-UDFN Exposed Pad
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MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
--最小包装量--
DMN2022UFDF-7详情
Diodes Incorporated DMN2022UFDF-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7.9A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
660mW Ta
Turn Off Delay Time
632 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
JESD-609代码
e4
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
S-PDSO-N6
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
56 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
22m Ω @ 4A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
907pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
18nC @ 8V
上升时间
87ns
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
239 ns
连续放电电流(ID)
7.9A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏极-源极导通最大电阻
0.05Ohm
漏源击穿电压
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMN2022UFDF-7拓展信息
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