RFD3055LESM备选型号: HUF76407D3ST
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 质量
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 接通延迟时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 阈值电压
- 输入电容
- 场效应管技术
- 漏源电阻
- 最大rds
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON11A Tc-55°C~175°C TJTubee3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)60V鸥翼未说明11A未说明R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET38WDRAINN-ChannelSWITCHING107m Ω @ 8A, 5V3V @ 250μA350pF @ 25V11.3nC @ 10V105ns±16V39 ns11ATO-252AA16V60V符合RoHS标准无铅-----------------
- MOSFET 11a 60V 0.107 Ohm Logic Level N-Ch表面贴装-TO-252-33-1-Tape & Reel (TR)e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)60V鸥翼-11A-R-PSSO-G2-Single增强型MOSFET38WDRAIN-SWITCHING----32ns-45 ns12ATO-252AA16V60VROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)8 Weeks260.37mg92mOhm175°C-55°C38W5 ns60VN-CHANNEL1V350pFMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR77mOhm92 mΩ无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HUF76407D3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3 | MOSFET 11a 60V 0.107 Ohm Logic Level N-Ch | 对比 |



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