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RGT16NS65DGTL备选型号: IRG4BC20SD-SPBF
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- 元素配置
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- 接通时间
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- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
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- RoHS状态
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- 端子表面处理
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- 额定电流
- 功率耗散
- 上升时间
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 辐射硬化
- 无铅
IGBT 650V 16A 94W TO-263S17 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON650V1.65V-40°C~175°C TJTape & Reel (TR)2014活跃1 (Unlimited)2EAR9994W鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2SingleCOLLECTORStandard94W电源控制N-CHANNEL650V16A42 ns650V27 ns2.1V @ 15V, 8A8A170 ns沟渠现场停车21nC24A13ns/33nsUnknownROHS3 Compliant------------
IGBT 600V 19A 60W D2PAK13 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON600V1.4V-55°C~150°C TJTube1997Obsolete1 (Unlimited)2EAR9960W鸥翼260-30R-PSSO-G2SingleCOLLECTORStandard-电源控制N-CHANNEL1.6V19A37 ns-99 ns1.6V @ 15V, 10A-1780 ns-27nC38A62ns/690ns-符合RoHS标准e3Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier低导通损耗600V19A60W32ns320μJ (on), 2.58mJ (off)20V6V无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRGS4610DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 16A 77W D2PAK | 对比 |
 | STGB10M65DF2 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | STMICROELECTRONICS STGB10M65DF2 IGBT Single Transistor, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-263, 3 Pins | 对比 |
| IRG4BC20SD-SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 19A 60W D2PAK | 对比 |
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