Infineon Technologies IRG4BC20SD-SPBF

工厂交货时间

13 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.4V

Number of Elements

1

Test Conditions

480V, 10A, 50 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

1997

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

附加功能

低导通损耗

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

60W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

19A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率耗散

60W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

上升时间

32ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.6V

最大集电极电流

19A

反向恢复时间

37 ns

接通时间

99 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.6V @ 15V, 10A

关断时间-标准值（toff)

1780 ns

闸门收费

27nC

集极脉冲电流（Icm）

38A

Td（开/关）@25°C

62ns/690ns

开关能量

320μJ (on), 2.58mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅