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RGT30NS65DGTL备选型号: IRGS4615DTRRPBF
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- 接通延迟时间
- 晶体管应用
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- 接通时间
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- 最大结点温度（Tj）
- 连续集电极电流
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
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- Td（开/关）@25°C
- 高度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
IGBT 650V 30A 133W TO-263S17 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.946308gSILICON650V1.65V-40°C~175°C TJTape & Reel (TR)2014活跃1 (Unlimited)2EAR99133W鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2Single133WCOLLECTORStandard18 ns电源控制N-CHANNEL650V30A55 ns650V40 ns2.1V @ 15V, 15A175°C30A204 ns沟渠现场停车32nC45A18ns/64ns5mmUnknownROHS3 Compliant-----
IGBT 600V 23A 99W D2PAK20 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3260.39037mg-600V2V-40°C~175°C TJTape & Reel (TR)2014Obsolete1 (Unlimited)-EAR9999W-260-30-Single--Standard--N-CHANNEL1.85V15A60 ns--1.85V @ 15V, 8A----19nC24A30ns/95ns--符合RoHS标准e3Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier70μJ (on), 145μJ (off)20V6.5V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRGS4615DTRRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 23A 99W D2PAK | 对比 |
 | STGB15M65DF2 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE | 对比 |
| IRGS4715DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 650V D2-PAK | 对比 |
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