ROHM Semiconductor RGT30NS65DGTL

工厂交货时间

17 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

质量

1.946308g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

650V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.65V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 15A, 10 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

64 ns

操作温度

-40°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

133W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率耗散

133W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

18 ns

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

650V

最大集电极电流

30A

反向恢复时间

55 ns

最大击穿电压

650V

接通时间

40 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 15A

最大结点温度（Tj）

175°C

连续集电极电流

30A

关断时间-标准值（toff)

204 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

32nC

集极脉冲电流（Icm）

45A

Td（开/关）@25°C

18ns/64ns

高度

5mm

达到SVHC

Unknown

RoHS状态

ROHS3 Compliant