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首页 全部分类 RGTH60TS65DGC11 vs FGH30T65UPDT-F155

RGTH60TS65DGC11备选型号: FGH30T65UPDT-F155

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  • IGBT类型
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  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 质量
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  • 端子表面处理
  • Reach合规守则
  • 箱体转运
  • JEDEC-95代码
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • ROHM Semiconductor
    RGTH60TS65DGC11
    ROHM Semiconductor
    IGBT 650V 58A 194W TO-247N
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    650V
    1.6V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    2014
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    194W
    未说明
    未说明
    Single
    Standard
    194W
    电源控制
    N-CHANNEL
    650V
    58A
    58 ns
    67 ns
    2.1V @ 15V, 30A
    30A
    179 ns
    沟渠现场停车
    58nC
    120A
    27ns/105ns
    Unknown
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGH30T65UPDT-F155
    ON Semiconductor
    IGBT 650V 60A 250W TO247-3
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    650V
    2.1V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2016
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    -
    250W
    260
    未说明
    Single
    Standard
    250W
    电源控制
    N-CHANNEL
    650V
    60A
    43 ns
    52 ns
    2.3V @ 15V, 30A
    -
    170 ns
    沟渠现场停车
    155nC
    90A
    22ns/139ns
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)
    6.39g
    e3
    TIN
    not_compliant
    COLLECTOR
    TO-247AB
    760μJ (on), 400μJ (off)
    20V
    7.5V
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