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首页 全部分类 RHK003N06FRAT146 vs 6HP04MH-TL-W

RHK003N06FRAT146备选型号: 6HP04MH-TL-W

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  • Reach合规守则
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  • 参考标准
  • 配置
  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 达到SVHC
  • 生命周期状态
  • 底架
  • 触点镀层
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    RHK003N06FRAT146
    ROHM Semiconductor
    4V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101 QU
    8 Weeks
    YES
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    表面贴装
    3
    SILICON
    200mW Ta
    2006
    Tape & Reel (TR)
    150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    AEC-Q101
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    1 Ω @ 300mA, 10V
    2.5V @ 1mA
    33pF @ 10V
    6nC @ 10V
    60V
    ±20V
    300mA
    2.5V
    1.5Ohm
    60V
    ROHS3 Compliant
    Unknown
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    6HP04MH-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
    14 Weeks
    -
    3-SMD, Flat Lead
    表面贴装
    -
    SILICON
    113 ns
    2015
    Tape & Reel (TR)
    150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    DUAL
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
    增强型MOSFET
    P-Channel
    -
    4.2 Ω @ 190mA, 10V
    -
    24.1pF @ 20V
    0.84nC @ 10V
    60V
    ±20V
    370mA
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    表面贴装
    Tin
    124.596154mg
    e6
    yes
    R-PDSO-F3
    1
    18.4 ns
    15.2ns
    41 ns
    20V
    0.37A
    -60V
    无铅
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