ROHM Semiconductor RHK003N06FRAT146

工厂交货时间

8 Weeks

表面安装

YES

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

200mW Ta

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

300mA Ta

已出版

2006

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

150°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1 Ω @ 300mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

33pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

300mA

阈值电压

2.5V

漏极-源极导通最大电阻

1.5Ohm

DS 击穿电压-最小值

60V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

Unknown