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首页 全部分类 RMW130N03TB vs NTHS4501NT1G

RMW130N03TB备选型号: NTHS4501NT1G

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 安装类型
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 资历状况
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • ROHM Semiconductor
    RMW130N03TB
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 13A 8PSOP
    表面贴装
    SMD/SMT
    8
    1
    Tape & Reel (TR)
    2011
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    150°C
    -55°C
    3W
    DUAL
    FLAT
    260
    10
    8
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3W
    11 ns
    SWITCHING
    35ns
    30V
    N-CHANNEL
    8 ns
    13A
    20V
    30V
    52A
    650pF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    17.7mOhm
    12.6 mΩ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTHS4501NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    4.9A Ta
    Tape & Reel (TR)
    2006
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    -
    -
    DUAL
    C 弯管
    260
    40
    8
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.3W
    -
    SWITCHING
    11ns
    -
    -
    11 ns
    6.7A
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 16 hours ago)
    表面贴装
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    e3
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    30V
    4.9A
    不合格
    N-Channel
    38m Ω @ 4.9A, 10V
    2V @ 250μA
    462pF @ 24V
    9.1nC @ 10V
    ±20V
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