RN1401,LF备选型号: RN1402,LF
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- 最高工作温度
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- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 元素配置
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 最大击穿电压
- 频率转换
- 电阻基(R1)
- 电阻-发射极基极(R2)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 供应商器件包装
- 功率 - 最大
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin S-Mini12 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3350VTape & Reel (TR)2014活跃1 (Unlimited)150°C-55°C200mWRN140*SingleNPN - Pre-Biased300mV100mA30 @ 10mA 5V500nA300mV @ 250μA, 5mA50V250MHz4.7 k Ω4.7 k Ω无符合RoHS标准---
- Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin S-Mini12 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3350VTape & Reel (TR)2014活跃1 (Unlimited)150°C-55°C200mW-SingleNPN - Pre-Biased300mV100mA50 @ 10mA 5V500nA300mV @ 250μA, 5mA50V250MHz10 kOhms10 kOhms无符合RoHS标准S-Mini200mW50V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DTA115GKAT146 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 | 对比 | |
| RN1402,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin S-Mini | 对比 | |
| DTC144GKAT146 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 | 对比 |


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