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RN4986FE,LF(CT备选型号: RN4907FE,LF(CT

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  • RoHS状态
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  • 最高工作温度
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  • 最大结点温度（Tj）
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  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN4986FE,LF(CT
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
    16 Weeks
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    3.005049mg
    100mA
    Cut Tape (CT)
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    100mW
    NPN, PNP
    2
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    -50V
    80 @ 10mA 5V
    500nA
    300mV @ 250μA, 5mA
    50V
    250MHz 200MHz
    -5V
    4.7k Ω
    -100mA
    47k Ω
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN4907FE,LF(CT
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
    18 Weeks
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    3.005049mg
    100mA
    Cut Tape (CT)
    活跃
    1 (Unlimited)
    100mW
    NPN, PNP
    -
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    50V
    80 @ 10mA 5V
    500nA
    300mV @ 250μA, 5mA
    -
    250MHz 200MHz
    6V
    10k Ω
    100mA
    47k Ω
    符合RoHS标准
    SON6-P-0.50
    150°C
    100mW
    150°C
    600μm
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RN4907FE,LF(CT RN4907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 SOT-563, SOT-666 Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor 对比