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首页 全部分类 RP1E050RPTR vs MCH3474-TL-W

RP1E050RPTR备选型号: MCH3474-TL-W

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  • 晶体管元件材料
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 操作温度
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    RP1E050RPTR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET P-CH 30V 5A MPT6
    表面贴装
    SMD/SMT
    6
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e2
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    锡铜
    150°C
    2W
    DUAL
    FLAT
    260
    10
    6
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2W
    DRAIN
    SWITCHING
    30V
    P-CHANNEL
    5A
    5A
    -30V
    20A
    850pF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    58mOhm
    50 mΩ
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MCH3474-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 4A MCPH3
    表面贴装
    3-SMD, Flat Lead
    70
    SILICON
    4A Ta
    Cut Tape (CT)
    2015
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    -
    -
    DUAL
    -
    -
    -
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    -
    SWITCHING
    30V
    -
    4A
    4A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    150°C TJ
    not_compliant
    R-PDSO-F3
    N-Channel
    50m Ω @ 2A, 4.5V
    1.3V @ 1mA
    430pF @ 10V
    4.7nC @ 4.5V
    ±12V
    1.3V
    0.05Ohm
    30V
    无SVHC
    无铅
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