ROHM Semiconductor RP1E050RPTR

底架

表面贴装

包装/外壳

SMD/SMT

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铜

最高工作温度

150°C

最大功率耗散

2W

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

6

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

30V

极性/通道类型

P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

5A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5A

漏源击穿电压

-30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

输入电容

850pF

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

58mOhm

最大rds

50 mΩ

RoHS状态

符合RoHS标准