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首页 全部分类 RP1E100RPTR vs ECH8697R-TL-W

RP1E100RPTR备选型号: ECH8697R-TL-W

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  • 终止次数
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  • 端子表面处理
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 最大功率耗散
  • Reach合规守则
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 场效应管特性
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    RP1E100RPTR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET P-CH 30V 10A MPT6
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD, Flat Leads
    6
    SILICON
    10A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e2
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    锡铜
    DUAL
    260
    10
    6
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2W
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    12.6m Ω @ 10A, 10V
    2.5V @ 1mA
    3600pF @ 10V
    39nC @ 5V
    30V
    ±20V
    10A
    -30V
    40A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    ECH8697R-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT-28
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    -
    -
    19.7 μs
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    -
    11.6m Ω @ 5A, 4.5V
    -
    -
    6nC @ 4.5V
    24V
    -
    10A
    24V
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    20 Weeks
    1.5W
    not_compliant
    2
    Dual
    160 ns
    230ns
    23.6 μs
    12.5V
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    无铅
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ECH8697R-TL-W ECH8697R-TL-W ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SMD, Flat Lead MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT-28 对比