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首页 全部分类 RQ3E080GNTB vs DMN3016LFDE-7

RQ3E080GNTB备选型号: DMN3016LFDE-7

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ROHM Semiconductor
    RQ3E080GNTB
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    8A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2W
    DRAIN
    6.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    16.7m Ω @ 8A, 10V
    2.5V @ 1mA
    295pF @ 15V
    5.8nC @ 10V
    3.6ns
    ±20V
    2.4 ns
    8A
    20V
    8A
    30V
    32A
    150°C
    900μm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN3016LFDE-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6
    22 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    6
    -
    10A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    -
    4.8 ns
    N-Channel
    -
    12m Ω @ 11A, 10V
    2V @ 250μA
    1415pF @ 15V
    25.1nC @ 10V
    16.5ns
    ±20V
    5.6 ns
    10A
    20V
    -
    -
    -
    -
    580μm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e4
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    30V
    2.05mm
    2.05mm
    无
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