ROHM Semiconductor RQ3E080GNTB

工厂交货时间

20 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W Ta 15W Tc

Turn Off Delay Time

17.3 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F5

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6.9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

16.7m Ω @ 8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

295pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.8nC @ 10V

上升时间

3.6ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

2.4 ns

连续放电电流(ID)

8A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

32A

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

900μm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅