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首页 全部分类 RQ3E080GNTB vs IRF8313PBF

RQ3E080GNTB备选型号: IRF8313PBF

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  • Vgs（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 高度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
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  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率 - 最大
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  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 场效应管特性
  • ROHM Semiconductor
    RQ3E080GNTB
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    8A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2W
    DRAIN
    6.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    16.7m Ω @ 8A, 10V
    2.5V @ 1mA
    295pF @ 15V
    5.8nC @ 10V
    3.6ns
    ±20V
    2.4 ns
    8A
    20V
    8A
    30V
    32A
    150°C
    900μm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8313PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
    6 Weeks
    -
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    SILICON
    9.7A
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2004
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    鸥翼
    未说明
    -
    未说明
    R-PDSO-G8
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    -
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    15.5m Ω @ 9.7A, 10V
    2.35V @ 25μA
    760pF @ 15V
    90nC @ 4.5V
    -
    -
    -
    -
    -
    9.7A
    -
    81A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    e3
    Matte Tin (Sn)
    IRF8313PBF
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    2W
    30V
    MS-012AA
    0.0155Ohm
    30V
    46 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    2W
    逻辑电平门
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