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首页 全部分类 RRQ020P03TCR vs ZXMC3AM832TA

RRQ020P03TCR备选型号: ZXMC3AM832TA

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  • 端子位置
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    RRQ020P03TCR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    2A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    not_compliant
    未说明
    P-Channel
    160m Ω @ 2A, 10V
    2.5V @ 1mA
    230pF @ 10V
    3.2nC @ 5V
    30V
    ±20V
    2A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZXMC3AM832TA
    Diodes Incorporated
    MOSFET Cmp 30V NP Ch UMOS
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-VDFN Exposed Pad
    8
    2.9A 2.1A
    -
    Tape & Reel (TR)
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    260
    -
    40
    N and P-Channel
    120m Ω @ 2.5A, 10V
    1V @ 250μA (Min)
    190pF @ 25V
    3.9nC @ 10V
    -
    -
    2.1A
    ROHS3 Compliant
    299.994654mg
    SILICON
    e3
    8
    Matte Tin (Sn)
    低阈值
    1.7W
    DUAL
    FLAT
    8
    不合格
    增强型MOSFET
    2.45W
    1.5 ns
    SWITCHING
    2.8ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    7.5 ns
    20V
    3.7A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1mm
    3mm
    2mm
    无铅
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