Diodes Incorporated ZXMC3AM832TA

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-VDFN Exposed Pad

引脚数

8

质量

299.994654mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.9A 2.1A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

11.3 ns

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

低阈值

最大功率耗散

1.7W

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

8

资历状况

不合格

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.45W

接通延迟时间

1.5 ns

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

120m Ω @ 2.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA (Min)

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

190pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.9nC @ 10V

上升时间

2.8ns

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

7.5 ns

连续放电电流(ID)

2.1A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.7A

漏源击穿电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

1mm

长度

3mm

宽度

2mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅