RSD131P10TL备选型号: IRFR120NTRPBF
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 供应商器件包装
- 系列
- 终端
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 输入电容
- 恢复时间
- 最大结点温度(Tj)
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET P-CH 100V 13A CPT310 WeeksTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装表面贴装3SILICON70 ns2013Tape & Reel (TR)150°C TJe2不用于新设计1 (Unlimited)2EAR99Tin/Copper (Sn98Cu2)SINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET20 nsP-ChannelSWITCHING200m Ω @ 6.5A, 10V2.5V @ 1mA2400pF @ 25V40nC @ 10V25ns100V±20V60 ns13A20V100VROHS3 Compliant无铅--------------------------
- MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK12 WeeksTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装表面贴装3-9.4A Tc1998Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ-活跃1 (Unlimited)-----------4.5 nsN-Channel-210mOhm @ 5.6A, 10V4V @ 250μA330pF @ 25V25nC @ 10V23ns100V±20V23 ns9.4A20V-ROHS3 Compliant无铅TinD-PakHEXFET®SMD/SMT210mOhm175°C-55°C100V9.1A1Single39W4V100V100V330pF150 ns175°C210mOhm210 mΩ4 V2.52mm6.7056mm6.22mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN10H170SK3-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 12A TO252 | 对比 |
![]() | IRFR120NTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK | 对比 |
![]() | IRFR5410TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET P-CH 100V 13A DPAK | 对比 |




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