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首页 全部分类 RSD131P10TL vs DMN10H170SK3-13

RSD131P10TL备选型号: DMN10H170SK3-13

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  • 包装
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • ROHM Semiconductor
    RSD131P10TL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET P-CH 100V 13A CPT3
    10 Weeks
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    70 ns
    2013
    Tape & Reel (TR)
    150°C TJ
    e2
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin/Copper (Sn98Cu2)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    20 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    200m Ω @ 6.5A, 10V
    2.5V @ 1mA
    2400pF @ 25V
    40nC @ 10V
    25ns
    100V
    ±20V
    60 ns
    13A
    20V
    100V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN10H170SK3-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 100V 12A TO252
    17 Weeks
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    12A Tc
    2013
    Digi-Reel®
    -55°C~150°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    10.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    140m Ω @ 5A, 10V
    3V @ 250μA
    1167pF @ 25V
    9.7nC @ 10V
    11.1ns
    -
    ±20V
    12.8 ns
    12A
    20V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    HIGH RELIABILITY
    1
    Single
    42W
    DRAIN
    100V
    20 mJ
    无SVHC
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