ROHM Semiconductor RSD131P10TL

工厂交货时间

10 Weeks

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

70 ns

Power Dissipation (Max)

850mW Ta 20W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A Tc

已出版

2013

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e2

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Copper (Sn98Cu2)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

200m Ω @ 6.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

40nC @ 10V

上升时间

25ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

60 ns

连续放电电流(ID)

13A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

DS 击穿电压-最小值

100V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅