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RSH065N06TB1备选型号: FW813-TL-H
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- 最高工作温度
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 场效应管特性
- 无铅
MOSFET N-CH 60V 6.5A SOP852 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)88-SOP6.5A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2009不用于新设计1 (Unlimited)150°C2WN-Channel37mOhm @ 6.5A, 10V2.5V @ 1mA900pF @ 10V16nC @ 5V60V20V6.5A60V900pF31mOhm37 mΩROHS3 Compliant-------
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SOP T/R-表面贴装表面贴装8-SOIC (0.173, 4.40mm Width)8-2150°C TJTape & Reel (TR)2010Obsolete1 (Unlimited)-2.5W2 N-Channel (Dual)49m Ω @ 5A, 10V-725pF @ 20V15nC @ 10V60V-5A----符合RoHS标准e6yesTin/Bismuth (Sn/Bi)2.3W20V逻辑电平门无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMP3056LSS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | P-Channel 30 V 45 mO Enhancement Mode Field Effect Transistor - SOP-8 | 对比 |
 | DMP3056LSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC | 对比 |
| DMP2066LSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2P-CH 20V 5.8A 8-SOIC | 对比 |
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