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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.547827
10
¥3.347008
100
¥3.15756
500
¥2.97883
1000
¥2.810214
Diodes Incorporated DMP2066LSD-13
- 收藏
- 对比
DMP2066LSD-13
671-DMP2066LSD-13
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET 2P-CH 20V 5.8A 8-SOIC
--最小包装量--
¥
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DMP2066LSD-13详情
Diodes Incorporated DMP2066LSD-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
850.995985mg
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
28 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
2W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DMP2066LSD
引脚数量
8
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2W
接通延迟时间
4.4 ns
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
40m Ω @ 4.6A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
820pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10.1nC @ 4.5V
上升时间
9.9ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
23.4 ns
连续放电电流(ID)
5.8A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏极-源极导通最大电阻
0.04Ohm
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
高度
1.5mm
长度
5.3mm
宽度
4.1mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMP2066LSD-13拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
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