ROHM Semiconductor RSH065N06TB1
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RSH065N06TB1
2078-RSH065N06TB1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET N-CH 60V 6.5A SOP8
--最小包装量--
RSH065N06TB1详情
ROHM Semiconductor RSH065N06TB1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
52 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-SOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V 10V
Power Dissipation (Max)
2W Ta
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
功率耗散
2W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
37mOhm @ 6.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
900pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
16nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
20V
连续放电电流(ID)
6.5A
漏源击穿电压
60V
输入电容
900pF
漏源电阻
31mOhm
最大rds
37 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
RSH065N06TB1拓展信息
ROHM Semiconductor
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