RSJ250P10TL备选型号: BSR606NH6327XTSA1

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 底架
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 包装
  • 操作温度
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 无卤素
  • 阈值电压
  • 最大双电源电压
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
    20 Weeks
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    表面贴装
    表面贴装
    83
    SILICON
    50W Tc
    2011
    Tape & Reel (TR)
    150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    SINGLE
    鸥翼
    3
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    30 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    63m Ω @ 25A, 10V
    2.5V @ 1mA
    8000pF @ 25V
    60nC @ 5V
    67ns
    100V
    ±20V
    180 ns
    25A
    20V
    0.063Ohm
    -100V
    50A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59
    12 Weeks
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    表面贴装
    表面贴装
    59
    -
    2.3A Ta
    2013
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    60m Ω @ 2.3A, 10V
    2.3V @ 15μA
    657pF @ 25V
    5.6nC @ 5V
    -
    -
    ±20V
    -
    2.3A
    20V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    e3
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    Single
    500mW
    无卤素
    1.8V
    60V
    无SVHC
    无铅
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BSR606NH6327XTSA1 BSR606NH6327XTSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59 对比