ROHM Semiconductor RSJ250P10TL

工厂交货时间

20 Weeks

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

83

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

50W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

25A Ta

Turn Off Delay Time

310 ns

已出版

2011

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

150°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

30 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

63m Ω @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

60nC @ 5V

上升时间

67ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

180 ns

连续放电电流(ID)

25A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.063Ohm

漏源击穿电压

-100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

50A

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无