我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
RSQ015P10TR备选型号: FDC8602
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- 系列
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 功率耗散
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 最大结点温度（Tj）
- 场效应管特性
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT612 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66SILICON1.5A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2012e1不用于新设计1 (Unlimited)6EAR99DUAL鸥翼6SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET10 nsP-ChannelSWITCHING470m Ω @ 1.5A, 10V2.5V @ 1mA950pF @ 25V17nC @ 5V15ns100V±20V10 ns1.5A20V0.47Ohm6A100V无ROHS3 Compliant无铅-------------------
MOSFET NCH DUAL COOL POWERTRENCH MOSFET35 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66SILICON2-55°C~150°C TJCut Tape (CT)-e3活跃1 (Unlimited)6EAR99-鸥翼--增强型MOSFET3.5 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING350m Ω @ 1.2A, 10V4V @ 250μA70pF @ 50V2nC @ 10V1.7ns100V-2.3 ns1.2A20V0.35Ohm--无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)36mgPowerTrench®yesTin (Sn)ULTRA-LOW RESISTANCE690mWDual690mW3.2VMO-193AA100VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR150°CStandard5 pF1.1mm3mm1.7mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | ZXMP10A17E6QTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6 | 对比 |
| FDC3601N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | ON SEMICONDUCTOR - FDC3601N - Dual MOSFET, Dual N Channel, 1 A, 100 V, 0.5 ohm, 10 V, 2.6 V | 对比 |
| ZXMN10B08E6TA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 6-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
哦! 它是空的。